博士课题是SiC IGBT. SiC IGBT目前无法市场化最主要的是3个原因. 1、应用场景问题,只有高压大功率领域SiC IGBT才有价值。. 因为SiC材料宽禁带的特点,发射极-集电极电压到接近3V才开通,这样较低电压等级下,SiC IGBT器件的导通特性比Si IGBT和碳化硅MOSFET还差,同时 ...
瑞士sic种植体通常是比较好的,能够达到很好的调理和改善效果。. 这是属于种植牙比较常见的一种材料,稳定性比较高性,和自身的牙齿颜色比较接近,耐磨性和耐高温性比较好,维持的时间也比较久。. 但是价格相对来说比较高,可以到当地正规医院眼科做 ...
MSE是 预测误差 的平方的均值,即MSE(g)=E [Y - g (X)]^2,这里g (X)是预测值,如果 函数g (X)的MSE越小,则它的预测能力越好,也就是说MSE是衡量 预测值 g (X)预测好坏的准则之一。. 可以证明 条件均值 的MSE最小,这就从统计学上证明了E [Y|X]的重要性。. AIC是选择 ...
2022年7月10日 · 我们已经对SiC MOSFET的表面layout有了认识,在SiC的芯片里Edge terminal和Active Cell是非常重要的两部分,安森美在JTE的设计上具有丰富的经验,在SiC MOSET上已经从M1发展到了M3,通过几代的技术迭代发展,JTE设计仿真和制造非常的成熟。我们来总结一下JTE的一些特点和 ...
登录/注册. 学习. SiC,SiF4和SiBr4熔点大小比较(工程化学基础)?. 上面三个物质都是分子晶体吧,书上写着分子间力随相对分子质量增大而增大,熔点、沸点也随之增高,但答案是SiF4<SiBr4<SiC,我去查了真实熔点发现…. 显示全部 . 关注者. 2. 被浏览. 5,423.
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碳化硅晶体结构中的单位晶胞是由相同四面体构成的,主要晶型是α-型和β-型两种。. α-SiC为高温稳定型,β-SiC为低温稳定型。. β-SiC向α-SiC转变的温度始于2100℃,但转变速率很小。. 在0. 1MPa压力下分解温度为2380℃,不存在熔点。. 稳定性较好。. 在HCl、H2SO4和HF中 ...
2020年4月14日 · 同时,SiC MOSFET开关速度快,开关过程中 栅极电压 更容易发生震荡,如果震荡超过其栅极耐压能力,则有可能导致器件栅极可靠性退化或直接损坏。. 很多电源工程师刚刚接触SiC MOSFET不久,往往会在驱动电压测量上遇到问题,即测得的驱动电压震荡幅值较大 ...
相反,当 SiC 被氧化时,它的一些碳被困在 SiO2/SiC 界面上,当电子从下方通过时,它们会碰撞和散射电子。因此,SiC 的沟道迁移率约为 20-30 cm2/V.s,因此 SiC 中每单位长度的沟道电阻是 Si 中的 10 倍。 衬底电阻来自SiC的N+起始衬底,具有较高的电阻率。
目前来看,SiC 和 GaN 的技术研究进展较快,并且已经开始有了广泛应用。SiC 与 GaN 相比较,前者相对 GaN 发展更早一些,技术成熟度也更高一些。 SiC 禁带宽度为 3.23ev,GaN 禁带宽度为 3.4ev。 SiC 器件相对于 Si 器件的优势主要来自三个方面: