闩锁效应(Latch-up)是一种集成电路中的异常状态,它可以使晶体管通的电流突然增大,导致电路损坏。闩锁效应通常发生在CMOS集成电路中,是由于PN结形成的一个双稳态问题引起的。当一个PN结中的电子和空穴被注入后,...
闩锁效应是 CMOS工艺 所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成 正反馈 形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生 ...
2024年10月27日 · 闩锁效应(Latch-up)是一种集成电路中的异常状态,它可以使晶体管通的电流突然增大,导致电路损坏。 闩锁效应 通常发生在CMOS集成电路中,是由于PN结形成的一个双稳态问题引起的。
2024年5月8日 · 从上面分析我们知道闩锁的根本原因是外接电位变化,导致寄生PN结先正偏或反偏击穿,向阱中注入载流子,然后再阱寄生电阻上形成压降,从而导致寄生三级管导通,从而形成闩锁。 那么多子和少子guardring,就是吸收PN结在正偏或反偏击穿时,向阱注入的载流子。
2022年10月10日 · 闩锁效应(Latch-up)是CMOS集成电路中一个重要的问题,这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁。 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。
2023年7月25日 · 一、闩锁效应:实际上是由于cmos电路中基极和集电极相互连接的两个bjt管子(下图中,侧面式npn和垂直式pnp)的回路放大作用形成的,在两个管子的电流放大系数均大于1时,电流在这两个管子构成的回路中不停地被放大,…
2021年12月22日 · 闩锁效应,latch up,是个非常重要的问题。现在的芯片设计都不可避免的要考虑它。我今天就简单地梳理一下LUP的一些问题。 啥是所谓的latch up呢?一句话总结起来很简单:CMOS中形成了两个BJT,基极和集电极接在了…
2023年7月14日 · 这篇文章将从0开始给大家介绍闩锁效应(Latch-up),以及有效抑制闩锁效应的方法。 一、背景知识(1)双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT)图1展示了典型的NPN型BJT。
閂鎖(英語: latch ),或稱闩锁,是數位電路中非同步时序邏輯電路系統中用來儲存資訊的一種電子電路。 一個锁存器可以儲存一 位元 的資訊,通常會有多個一起出現,有些會有特別的名稱,像是 「4位锁存器」(可以儲存四個位元)或「8位锁存器」(可以儲 ...
2023年11月9日 · 本章将以一个cmos反相器作tx的替代电路作为引子,简单介绍i/o接口电路需要考量的其它因素——闩锁和esd。图1中提出了所谓“n over n”的tx结构,其原理,是用一个nmos管去替换cmos中的pmos。这样改动,可以削弱i/o输出的闩锁效应。