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第三代半导体GaN基材料与蓝光激光器发光原理,能带计算
GaN 基材料一般是指氮化镓(GaN)、氮化铝(AIN)、氮化铟(InN)以及其多元化合物(如 AIGaN、InGaN、AIInN、AlInGaN)。相较于第一代半导体 Si、Ge与第二代半导体 GaAs、InP,GaN 基材料因其具有禁带宽度大、直接带隙、强极化效应(Polarization)、电子饱和迁移速度大等特点,在光电 ...
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